集成电路制造工艺中,二氧化硅膜不能用于
A、元器件的组成部分(如栅氧化层) B、源漏极 C、互连层间绝缘介质 D、作为掩蔽膜 答案:B 2、 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是: 。 A、几何设计规则是版图图形编辑的依据 B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据 C、几何设计规则是分析计算的依据 D、几何设计规则是检查版图错误的依据 答案:C |
集成电路制造工艺中,二氧化硅膜不能用于
A、元器件的组成部分(如栅氧化层) B、源漏极 C、互连层间绝缘介质 D、作为掩蔽膜 答案:B 2、 以下对集成电路版图设计中几何设计规则描述不正确的是: 。 A、几何设计规则是版图图形编辑的依据 B、几何设计规则是设计系统生成版图的依据 C、几何设计规则是分析计算的依据 D、几何设计规则是检查版图错误的依据 答案:C |
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