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以下不是离子注入特点的是

1、以下不是离子注入特点的是 。

A、精确控制掺杂剂量

B、精确控制掺杂能量

C、不会产生缺陷甚至非晶化

D、杂质掺杂分布非常均匀

答案：C

2、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。

A、干氧氧化

B、湿氧氧化

C、离子氧化

D、水蒸汽氧化

答案：C

3、 集成电路制造工艺中，以下对氧化速率没有影响的因素是： 。

A、温度

B、厚度

C、硅晶向

D、掺杂

答案：B